   |
| |
|
| |
 |
全製品共通 |
| 水晶製品は、耐衝撃性に配慮して設計されておりますが。 落下および衝撃の条件によっては製品が破壊される可能性があります。誤って机上等から落下した場合や過度の衝撃が加わった場合は、必ず特性の確認を行ってください。 |
SMD製品を除く当社水晶製品は融点が＋180 ℃～＋200 ℃のはんだを用いておりますので、パッケージが＋150℃を超えますと特性の劣化または、破壊を招く場合があります。上記の条件を
超える温度で実装される場合は、SMD製品をご使用ください。
また、SMD製品であっても下記条件以上の高温を加えますと、特性が劣化する場合がありますので、下記条件を超えない領域でのご使用を推奨します。実装前および条件変更後に必ず実装条件（温度・時間）をご確認のうえご使用ください。
また、下記条件を超える場合は当社営業窓口にご相談ください。 |
| 機 種 |
はんだ付け条件 |
| [シリンダ] |
C-TYPE ,
C-2-TYPE ,
C-4-TYPE,
HTS-206 |
|
リード部+280 ℃以下×5秒以内
（パッケージ部は＋150 ℃以下)
|
| [シリンダ] |
CA-301 |
| [DIP] |
SG-51/531,
SG-8002DB/DC,
RTC-72421/7301DG |
|
リード部+260℃以下×10秒以内
（パッケージ部は＋150℃以下) |
| [DIP] |
TCO-6831,
TCO-676,
TCO-679,
TCO-6920A |
|
はんだこて先温度+370 ℃以下×5秒以内
(1端子あたり)
（パッケージ部は＋150 ℃以下)
|
| (2) |
SMD製品 |
| |
リフロープロファイル例
JEDEC-std-020Dの耐熱リフロー条件への対応可否は製品毎に判断させて頂いております。お問い合せください。 |
|
機種別リフロー条件参考資料
|
(262KB) |
| （温度上昇率はできるだけ緩やかなカーブにしてください。またパッケージが吸湿しておりますと、クラックなどの不具合につながる可能性がありますので、防湿対策を施し、高湿での保管は短期間にしてください。） |
自動実装による衝撃
水晶製品を自動実装する際、製品の吸着、チャッキング、および基板搭載時などに過度の衝撃が加わりますと特性の変化または劣化につながりますので、なるべく衝撃の小さい条件の設定をしてください。ご使用の前に必ず貴社にて搭載テストを実施し、特性に影響のないことを確認してください。条件変更時にも同様にご確認ください。
また、実装時および実装後において、水晶製品が機械体や他の基板などと衝突しないようご注意ください。 |
| (1) |
1. |
セラミックパッケージ製品および SON 製品（共通） |
| |
|
セラミックパッケージ製品および SON 製品（MC-146,RTC-****NB,RX-****NB)
を基板実装後、基板を曲げるなどの変形をさせますと、機械的ストレスにより、はんだ付け部の剥離、水晶製品のパッケージクラックなどが発生する場合があります。特に基板を子割にする場合は、なるべく水晶製品にストレスがかかりにくい基板上の製品配置と、子割り方法の採用をお願いいたします。 |
| |
2. |
セラミックパッケージ製品 |
| |
|
セラミックパッケージ製品を、ガラスエポキシ材などのセラミックスと
膨張係数の異なる実装基板に実装してご使用される場合、長期間過酷な温度変化をくり返すと、はんだ付け部のはんだに亀裂を生じる恐れがあります。そのような環境条件が想定される場合は、ご使用される前に、貴社にて十分ご確認ください。 |
| |
|
|
| |
 |
| |
 |
|
